靈動(dòng)微電子MM32SPIN05硬件設(shè)計(jì)常見問(wèn)題解答

靈動(dòng)微電子官方代理英尚微電子解答關(guān)于MM32SPIN05硬件設(shè)計(jì)的常見問(wèn)題

上電復(fù)位電路設(shè)計(jì)有什么注意事項(xiàng)？

1、給MCU提供的電源盡量不要出現(xiàn)緩慢上升或者殘壓上電的情況；

2、在滿足電源供給的情況下，無(wú)須使用大時(shí)間常數(shù)的RC；

3、在RC復(fù)位電路的電阻兩端反并一個(gè)二極管，有利于克服頻繁重復(fù)開機(jī)出現(xiàn)

不能正常復(fù)位的問(wèn)題（并二極管只對(duì)掉電起快速放電作用，對(duì)于重復(fù)上電復(fù)位時(shí)，電壓不能快速掉到低于0.6V又重新上去，導(dǎo)致MCU不能再次復(fù)位)。

推薦的RC參數(shù)為100K加0.1uF電容；還有一種做法是外加一片復(fù)位芯片取代這個(gè)RC電路，MAX809輸出串一個(gè)電阻。

RCC

外部時(shí)鐘的使用有什么注意事項(xiàng)？

1、無(wú)源外部晶振輸入范圍：4-24MHz；

2、使用外置晶振，如需在全溫-40~85℃，全壓2.0~5.5V下使用外部晶振作為HSE時(shí)鐘，必須參考官方的外置晶振的典型電路（串510ohm，并510Kohm）；

3、使用外置晶振，需要確保HSEready有足夠長(zhǎng)時(shí)間，不同的外部晶振內(nèi)阻不一樣，需要做相關(guān)的調(diào)配；

內(nèi)部時(shí)鐘的使用有什么注意事項(xiàng)？

出廠常溫下校準(zhǔn)在±1%，支持全溫全壓范圍偏差最大5%,在高溫和低溫下使用UART通信時(shí),建議使用外部晶振或通過(guò)波特率自適應(yīng)等軟件方式解決。

芯片復(fù)位后，如何查看RCC->CSR寄存器中的復(fù)位狀態(tài)？

芯片的復(fù)位標(biāo)志寄存器在上電復(fù)位后，除POR位外，其他位是不定態(tài)，復(fù)位后讀取標(biāo)志位，該標(biāo)志位讀取值不反映真實(shí)情況，需要清除RMVF位后，電源電壓穩(wěn)定情況下，才可以檢測(cè)到正常的其他復(fù)位狀態(tài)。

芯片是否支持HSI與HSE時(shí)鐘自動(dòng)切換？

系統(tǒng)目前CSSON后，無(wú)法正確反映HSE時(shí)鐘丟失狀態(tài)。

芯片所能運(yùn)行最高主頻？

需要從存儲(chǔ)的校準(zhǔn)值中裝載72MHz參數(shù)，此時(shí)需要設(shè)置2個(gè)latency。

GPIO

使用GPIO注意事項(xiàng)？

1、IO存在兩種特性：

FT:容忍5V，可輸入VDD和5V之間的信號(hào)

TC:標(biāo)準(zhǔn)IO，輸入信號(hào)不超過(guò)VDD電壓

硬件設(shè)計(jì)需注意TC端口的電壓不能大于供電電壓，否則會(huì)出現(xiàn)電壓倒灌的情況。

2、上電后MCU的GPIO除PA13\14其它GPIO都處于高阻態(tài)。

ADC

MM32ADC使用的注意事項(xiàng)？

1、如果需要高精度的ADC，VDDA和VSSA建議提供獨(dú)立的穩(wěn)定可靠的供電電壓，且VDDA和VDD壓差不能大于100mv；

2、需要注意輸入阻抗匹配，如使用1Mbps作為采樣速率時(shí)，只支持50ohm的輸入阻抗；

3、如需要多路高速采樣，并需要切換通道，需要得到較準(zhǔn)確的采樣值，需要增大每個(gè)通道的采樣保持時(shí)間，比如7.5個(gè)cycle。

DMA

支持設(shè)備到設(shè)備嗎？

不支持設(shè)備到設(shè)備P2P，只支持M2M，P2M，M2P模式。

EXTI

MM32EXTI使用的注意事項(xiàng)？

可支持外部喚醒STOP，比如EXTI0，可以映射到PA0\PB0\PC0，其使用的是同一個(gè)中斷線，如果都配置了使能，只有最后配置的有效。

SPI

SPI支持單線半雙工嗎？

不支持單PIN實(shí)現(xiàn)單線半雙工，可以將MISO和MOSI并在一起，輔以軟件配置實(shí)現(xiàn)單線半雙工。

SYSTICK

MCU支持可選1/8SYSCLK和SYSCLK做為Systick時(shí)鐘源嗎？

只支持SYSCLK做為Systick/4時(shí)鐘源。

UART

MM32UART使用的注意事項(xiàng)？

1、使用UART通信，又要求是全溫-40~85℃，全壓2.0~5.5V下與其他MCU或設(shè)備通信，建議使用外置晶振；

2、內(nèi)置時(shí)鐘只在常溫25℃，出廠校準(zhǔn)到1%，但在環(huán)境溫度變化時(shí)鐘會(huì)出現(xiàn)溫漂（在數(shù)據(jù)手冊(cè)內(nèi)部時(shí)鐘特性章節(jié)有具體參數(shù)），建議結(jié)合應(yīng)用考慮內(nèi)部時(shí)鐘是否能夠滿足應(yīng)用需求；

3、在前期設(shè)計(jì)時(shí)，MCU作為從，對(duì)端作為主，加入軟件波特率自適應(yīng)代碼，以支持溫度和電壓變化時(shí)的正常通信；

UART是否支持硬件波特率自適應(yīng)？

1、不支持硬件波特率自適應(yīng)，可以使用軟件波特率自適應(yīng)代碼；

2、在做軟件自適應(yīng)波特率時(shí)，需要修改波特率的整數(shù)分頻和小數(shù)分頻，需要先關(guān)閉UART設(shè)置新的小數(shù)分頻，再使能UART，才可以使新參數(shù)生效。

3、需注意BRR寄存器最小值為4。

WWDG

進(jìn)入STOP后，是否支持調(diào)試？

MM32MCU不支持進(jìn)入STOP或Standby時(shí)Debug。

Flash

Flash可以直接寫入嗎？

1、閃存空間既可以存代碼又可以存數(shù)據(jù)。主閃存塊按16頁(yè)(每頁(yè)1K字節(jié))或4扇區(qū)(每扇區(qū)4K字節(jié))分塊，按頁(yè)為單位擦除，也可以整片擦除;

2、主閃存一次可以編程16位。當(dāng)FLASH_CR中的PG位為1時(shí)，直接對(duì)相應(yīng)的地址寫一個(gè)半字(16位)，就是一次編程操作；

3、需要先擦除，再寫入，若出現(xiàn)非0xFF寫入會(huì)進(jìn)入hardfault中斷。

Protect

MM32MCU如何實(shí)現(xiàn)讀保護(hù)？

MM32MCU支持分塊保護(hù)，對(duì)于全芯片的讀保護(hù)，可以通過(guò)設(shè)置起始地址為0，size為全芯片容量32K，作為1塊設(shè)置讀保護(hù)后，實(shí)現(xiàn)對(duì)全芯片的讀保護(hù)；

設(shè)置讀保護(hù)后，還可以支持芯片內(nèi)部做Flash操作嗎？比如模擬EEPROM？

除非再設(shè)置對(duì)應(yīng)的塊做寫保護(hù)，設(shè)置完成讀保護(hù)的塊，同一塊程序可以對(duì)同一區(qū)間的芯片做Flash塊擦除，寫入動(dòng)作；對(duì)其他讀保護(hù)的塊和非保護(hù)的塊，可以通過(guò)函數(shù)調(diào)用的方式實(shí)現(xiàn)操作；

電源

AVDD可以和DVDD不使用一個(gè)電源嗎？

芯片的AVDD和DVDD可以使用不同電源，但DVDD和AVDD壓差不能大于0.3V，且電源輸入PIN并1uF/0.1uF退耦電容；

復(fù)位電路

MM32設(shè)計(jì)復(fù)位電路的注意事項(xiàng)？

復(fù)位電路中無(wú)需保持太長(zhǎng)低電平時(shí)間，典型推薦RC復(fù)位電路中，建議使用100K電阻、0.1uF電容；

MM32 ISP

ISP只支持多個(gè)串口嗎？

目前只支持1個(gè)串口，且ISP下載端口建議使用PA9\10。